| 发明名称 | 用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备，揭露一种用于经修改单元构造以及所产生元件的方法。实施例可包括决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距，每一个第一路径具有第一宽度，决定IC设计中第二路径的第二垂直轨道间距，第二路径具有第二宽度，以及基于第一及第二垂直轨道间距，指定IC设计中单元垂直尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN104809262A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201510035958.9 | 申请日期 | 2015.01.23 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 袁磊;M·拉希德;桂宗郁 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距，该多个第一路径的每一个具有第一宽度；决定该集成电路设计中第二路径的第二垂直轨道间距，该第二路径具有第二宽度；以及基于该第一及第二垂直轨道间距，指定该集成电路设计中的单元垂直尺寸。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||