| 发明名称 | 一种高连接配位聚合物及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高连接配位聚合物及其制备方法，所述高连接配位聚合物具有下述化学式：[Zn<sub>5</sub>(3,3'-tmbpt)(btec)<sub>2</sub>(OH)<sub>2</sub>]，其中btec为去质子化的1,2,4,5-苯四酸，3,3'-tmbpt为1-((1<i>H</i>-1,2,4-三唑基)甲基)-3,5-双(3-吡啶基)-1,2,4-三唑。多元羧酸阴离子可以通过羧基与金属离子配位形成尺寸较大的金属簇，以金属簇作为节点，可以大大增加节点的连接数。另外，本发明所用的多齿含氮配体3,3'-tmbpt的几个配位基团距离较远，在配位时具有较小的位阻，有利于将金属簇进一步扩展形成高连接结构的配位聚合物。该配位聚合物可以作为宽带半导体材料及分子基发光材料被进一步开发应用。 | ||
| 申请公布号 | CN104804024A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201510204717.2 | 申请日期 | 2015.04.27 |
| 申请人 | 淮阴师范学院 | 发明人 | 阚卫秋;温世正 |
| 分类号 | C07F3/06(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I | 主分类号 | C07F3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种高连接配位聚合物及其制备方法，所述高连接配位聚合物具有下述化学式：[Zn<sub>5</sub>(3,3'‑tmbpt)(btec)<sub>2</sub>(OH)<sub>2</sub>]，其中btec为去质子化的1,2,4,5‑苯四酸，3,3'‑tmbpt为1‑((1<i>H</i>‑1,2,4‑三唑基)甲基)‑3,5‑双(3‑吡啶基)‑1,2,4‑三唑；所述高连接配位聚合物的结构式如下：<img file="170132dest_path_image001.GIF" wi="406" he="506" />配位聚合物晶体为单斜晶系，空间群为<i>P</i>2<sub>1</sub>/<i>n</i>，晶胞参数为<i> a</i> = 15.0988(6) Å，<i>b</i> = 15.5888(5) Å，<i>c</i> = 17.1086(7) Å，<i>β</i>= 112.926(5)°，<i>V</i> = 3708.8(2) Å<sup>3</sup>。 | ||
| 地址 | 223001 江苏省淮安市长江西路111号淮师物电学院 | ||