一种单端输入迟滞比较电路

摘要

本实用新型公开了一种单端输入迟滞比较电路，它涉及迟滞比较器技术领域。第一绝缘栅双极型晶体管的门极接第五电阻至输入电压端，第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别接第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的发射极，第三绝缘栅双极型晶体管、第五绝缘栅双极型晶体管的门极、集电极均接第四绝缘栅双极型晶体管的门极，第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接第三电阻、第四电阻至第十三绝缘栅双极型晶体管、第十四绝缘栅双极型晶体管的集电极。本实用新型能自身产生偏置电流，具有很强的独立性和稳定性，且占用面积小，消耗的功率低。

主权项

一种单端输入迟滞比较电路，其特征在于，包括第一绝缘栅双极型晶体管(M1)‑第十七绝缘栅双极型晶体管(M17)、第一电阻(R1)‑第五电阻(R5)、电容(C)、第一反相器(INV1)和第二反相器(INV2)，第一绝缘栅双极型晶体管(M1)的门极分别接第十六绝缘栅双极型晶体管(M16)、第十七绝缘栅双极型晶体管(M17)的集电极，第十六绝缘栅双极型晶体管(M16)的门极、发射极均接电源VDD端，第十七绝缘栅双极型晶体管(M17)的门极、发射极均接地端，第一绝缘栅双极型晶体管(M1)的门极还接第五电阻(R5)至输入电压端，第一绝缘栅双极型晶体管(M1)的集电极、第二绝缘栅双极型晶体管(M2)的门极及集电极均接地端，第一绝缘栅双极型晶体管(M1)、第二绝缘栅双极型晶体管(M2)的发射极分别接第三绝缘栅双极型晶体管(M3)、第四绝缘栅双极型晶体管(M4)的发射极，第三绝缘栅双极型晶体管(M3)、第五绝缘栅双极型晶体管(M5)的门极、集电极均接第四绝缘栅双极型晶体管(M4)的门极，第三绝缘栅双极型晶体管(M3)、第四绝缘栅双极型晶体管(M4)的集电极分别接第三电阻(R3)、第四电阻(R4)至第十三绝缘栅双极型晶体管(M13)、第十四绝缘栅双极型晶体管(M14)的集电极；第十三绝缘栅双极型晶体管(M13)、第十四绝缘栅双极型晶体管(M14)的门极均与第六绝缘栅双极型晶体管(M6)、第八绝缘栅双极型晶体管(M8)‑第十一绝缘栅双极型晶体管(M11)的门极连接，第六绝缘栅双极型晶体管(M6)、第八绝缘栅双极型晶体管(M8)、第十三绝缘栅双极型晶体管(M13)‑第十五绝缘栅双极型晶体管(M15)的发射极均接电源VDD端，第六绝缘栅双极型晶体管(M6)的门极、集电极均接第七绝缘栅双极型晶体管(M7)的发射极，第七绝缘栅双极型晶体管(M7)的集电极接第一电阻(R1)至地端，第八绝缘栅双极型晶体管(M8)‑第十一绝缘栅双极型晶体管(M11)的集电极分别接第九绝缘栅双极型晶体管(M9)‑第十二绝缘栅双极型晶体管(M12)的发射极，第十二绝缘栅双极型晶体管(M12)的集电极接第二电阻(R2)至第一绝缘栅双极型晶体管(M1)的发射极，第五绝缘栅双极型晶体管(M5)的发射极接第十五绝缘栅双极型晶体管(M15)的门极，第十五绝缘栅双极型晶体管(M15)的门极接电容(C)至电源VDD端，第十五绝缘栅双极型晶体管(M15)的发射极接电源VDD端，第十五绝缘栅双极型晶体管(M15)的集电极分别接地端、第一反相器(INV1)的输入端，第一反相器(INV1)的输出端分别接第二反相器(INV2)的输入端、第十二绝缘栅双极型晶体管(M12)的门极。