电极半导体整流器降低的处理灵敏度

摘要

本发明涉及电极半导体整流器降低的处理灵敏度，披露了半导体器件和制造半导体器件的方法。一示例性实施例包括具有第一表面、第二表面的第一传导型半导体层以及在一部分半导体层中的第一传导型的分梯度的净掺杂浓度。分梯度部分位于半导体层的上表面附近，且其中分梯度的净掺杂浓度的值随着离半导体层的上表面的距离而减小。示例性器件还包括设置在半导体层的第一表面并在分梯度部分附近的电极。

主权项

一种半导体器件，包括：第一传导型半导体层，所述半导体层具有第一表面、第二表面和台面区，所述台面区具有在所述层的第一表面附近的上表面，以及在第一部分的台面区内的第一传导型的分梯度的净掺杂浓度，所述分梯度的净掺杂浓度的值随着离开所述台面区的上表面的距离而减小；沟槽，所述沟槽在所述半导体层中延伸并靠近所述台面区，所述沟槽具有设置在其中并从所述半导体层的第一表面朝向所述半导体层的第二表面直至低于所述层的第一表面第一深度为止的电绝缘电极，所述电绝缘电极为第一电极；设置在所台面区的上表面的第二电极；以及电耦合于所述半导体层的第三电极；所述第一部分的台面区位于所述半导体层的上表面的第一距离内，所述第一距离为半微米和第一深度的一半中的较大值。