用于半导体器件的含金属覆盖层的表面清洁和选择性沉积的方法

摘要

本发明提供了一种用于将含金属覆盖层集成到半导体器件的铜(Cu)金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包括：提供包含金属表面和介电层表面且其上具有残余物的平坦化的图案化衬底；从所述平坦化的图案化衬底上除去残余物；通过将所述介电层表面和所述金属表面暴露于包含含金属前驱体蒸气的沉积气体而将含金属覆盖层选择性沉积在所述金属表面上。所述除去包括：用含有疏水性官能团的反应剂气体处理含有残余物的所述平坦化的图案化衬底，并将所述经处理的平坦化的图案化衬底暴露于还原气体中。

主权项

一种用于形成半导体器件的方法，其包括下列步骤：提供平坦化的图案化衬底，所述衬底包含金属表面和介电层表面，并且所述金属表面和所述介电层表面二者之上均具有残余物；用含有疏水性官能团的反应剂气体处理含有所述残余物的所述平坦化的图案化衬底，所述处理从所述金属表面和所述介电层表面上除去所述残余物和用疏水性官能团取代了所述介电层表面中的亲水性官能团；将经处理的所述平坦化的图案化衬底暴露于还原气体中；以及通过将所述介电层表面和所述金属表面暴露于包含含金属前驱体蒸气的沉积气体而将含金属覆盖层选择性沉积在所述金属表面上。