一种IGZO靶材的制备方法

摘要

本发明涉及一种靶材的制备方法，特别是一种高性能IGZO靶材的制备方法。包括以下步骤：（1）将Ga₂O₃纳米粉体、ZnO纳米粉体与In₂O₃纳米粉体按原子比In：Ga：Zn=1:1~5:1~5均匀球磨混合得到IGZO粉体，添加IGZO粉体质量1%-5%的PVA进行造粒；（2）将IGZO粉体装入模具中在40～80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200-300MPa进行二次成型，然后以4-8MPa/ min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯，（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/ min的升温速率升温，至1300～1550℃保温烧结4～10小时，之后按降温速率0.5～1℃/ min降温至950～1050℃，之后自然降温；得到IGZO靶材。本发明可以制备得到高性能IGZO靶材（高致密度、相对密度>98%，高导电性），弥补国内高性能IGZO靶材生产制作的空白。

主权项

一种IGZO靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将Ga₂O₃纳米粉体、ZnO纳米粉体与In₂O₃纳米粉体按原子比In：Ga：Zn=1: 1~5:1~5放入球磨机均匀球磨混合得到IGZO粉体，然后添加IGZO粉体质量1%‑5%的粘结剂PVA进行造粒；所述的Ga₂O₃纳米粉体、ZnO纳米粉体和In₂O₃纳米粉体的比表面积为10‑30m²/g，纯度为99.99%以上；（2）将IGZO粉体装入模具中在40～80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200‑300MPa进行二次成型，然后以4‑8MPa/ min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯，（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/ min的升温速率升温，至1300～1550℃保温烧结4～10小时，之后按降温速率0.5～1℃/ min降温至950～1050℃，之后自然降温；得到IGZO靶材。