| 摘要 |
<p>레이저 차단층을 이용한 발광 다이오드의 전사방법이 제공된다. 상세하게는, 성장기판 상에 n-GaN층, 활성층, p-GaN층, 및 p형 전극이 순차적으로 적층된 복수 개의 발광 다이오드 소자층들을 형성하는 단계, 상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들 사이의 이격 공간에 레이저 차단층을 형성하는 단계, 상기 레이저 차단층과 접착제가 형성된 표적기판을 접착시키는 단계, 및 레이저 리프트 오프 공정을 통해 상기 성장기판을 제거하여 상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들을 상기 표적기판으로 전사하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 전사방법을 제공한다. 이에, 발광 다이오드 전사시 레이저 차단층을 이용함으로써, 원하지 않는 영역으로의 레이저 투과를 차단하여 발광 다이오드의 전사 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 레이저 차단층에 의해 발광 다이오드 소자층 이외의 영역에서의 성장기판과의 분리가 더욱 용이해질 수 있다.</p> |
