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发明名称
Photoresist developer Composition for Antioxidant
摘要
<p>본 발명은 산화방지용 포토레지스트 현상액 조성물에 관한 것으로, 알칼리 화합물; 구리 화합물; 및 킬레이트제 화합물을 포함하여, 반도체 제조공정에서 폴리이미드 또는 폴리벤족사졸의 패턴 막 제조를 위하여 폴리이미드 또는 폴리벤족사졸 패턴 형성 과정 중 현상 공정에서 발생되는 구리 배선의 부식을 방지할 수 있는, 산화방지용 포토레지스트 현상액 조성물에 관한 것이다.</p>
申请公布号
KR101540009(B1)
申请公布日期
2015.07.28
申请号
KR20130143829
申请日期
2013.11.25
申请人
发明人
分类号
G03F7/32;H01L21/027
主分类号
G03F7/32
代理机构
代理人
主权项
地址
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