| 摘要 |
<p>두께가 50 내지 100μm인 4H SiC 에피웨이퍼가 4 축외 기재 상에 성장된다. 2 내지 6 cm의 범위의 표면 형태학적 결함 밀도가 에피웨이퍼의 검사로부터 얻어진다. 2 내지 3μs의 범위의 일관된 캐리어 수명이 이들 에피웨이퍼에 대해서 얻어졌다. 이러한 에피웨이퍼에서는 매우 낮은 BPD 밀도가 확인되었는데, 이때 BPD 밀도는 10 cm미만까지 이르렀다. 두께가 50 내지 100μm인 에피택셜 웨이퍼를 사용하여 다이오드를 제작하였다. 고전압 시험은 4H-SiC에 대한 이론적 값에 가까운 차단 전압을 입증하였다. 50μm 두께 에피택셜 필름 상에 제작된 소자에서는 8 ㎸만큼 높은 차단 전압이 성취되었고, 80μm 두께 필름 상에 제작된 소자에서는 10 ㎸만큼 높은 차단 전압이 얻어졌다. 고장 분석으로 삼각형 결함을 확인하였는데, 이는 표면 손상 또는 에피택시 동안 존재하는 입자로 인해 형성되고, 치명적 결함이며, 역 바이어스 작동 중에 소자가 고장나게 한다. 또한, JBS 다이오드의 높은 차단 전압에서의 누설 전류는 나선 전위 밀도와 상관관계가 없는 것으로 나타났다. 에피층에서의 기저면 전위의 주요 공급원은 결정 성장 과정에서 유래하는 것으로 또한 관찰된다.</p> |
