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<p>CVD-반응로 내에서 후속 처리를 위한 실리콘 로드를 준비하기 위해서 CVD-반응로 외측에서 실리콘 로드들을 점화시키는 방법 및 장치가 기재되어 있다. 상기 방법에서, 실리콘 로드는 점화 장치 내측에 배열되며 제 1 전압이 제 1 전력 공급 유닛에 의해 실리콘 로드에 가해지며, 상기 전압은 실리콘 로드를 점화시키기에 충분하다. 선택적으로, 실리콘 로드는 그 후에, 전류 흐름 및/또는 외부 가열 유닛에 의해 예정된 온도 범위 내의 온도로 가열될 수 있다. 실리콘 로드는 그 후에,점화 장치로부터 제거되며 CVD-반응로 내측에서 증착 프로세스가 수행될 수 있다. CVD-반응로 외측에서 실리콘 로드의 점화는 증착 프로세스를 위한 새로운 점화를 촉진시킨다. 상기 장치는 하나 이상의 실리콘 로드를 수용하는 챔버를 갖춘 케이싱을 포함한다. 챔버 내에서, 사이에 하나 이상의 실리콘 로드를 유지하기 위해서 한 쌍 이상의 접촉 전극들이 배열된다. 또한, 하나 이상의 변압기를 갖는 제 1 전력 공급 유닛이 제공되며, 변압기의 각각의 출력은 한 쌍의 접촉 전극 중 각각의 하나에 연결된다. 변압기는 실리콘 로드 내에 전류 흐름을 설정하기 위해서 충분히 높은 개방 회로 전압을 포함한다.</p> |
