| 摘要 |
一実施形態において、半導体デバイスは、第１型ドーパントを含む基板を備えることができる。また、この半導体デバイスは、上記基板の上方に配置され、当該基板よりも低濃度の上記第１型ドーパントを含むエピタキシャル層を備えることができる。また、この半導体デバイスは、上記エピタキシャル層内に配置され、第２型ドーパントを含む接合拡張領域を備えることができる。さらに、この半導体デバイスは、上記接合拡張領域と物理的に接触し、当該接合拡張領域よりも高濃度の上記第２型ドーパントを含む一組のフィールドリングを備えることができる。さらに、この半導体デバイスは、上記一組のフィールドリングと物理的に接触したエッジ終端構造を備えることができる。【選択図】 図１ |
