发明名称 Si NANO-WIRE NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL
摘要 본 발명은 표면개질된 Si 나노와이어 음극활물질에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Si 나노와이어 표면에 SEI층 생성의 반응 사이트(initiation site)를 갖는 폴리머를 형성함으로써 공유결합으로 연결된 안정한 SEI층을 생성하여 전지의 수명 특성을 크게 개선시킨, Si 나노와이어 음극활물질, 그 표면개질 방법, 이를 포함하는 음극재 및 리튬이차전지에 관한 것이다.
申请公布号 KR101539825(B1) 申请公布日期 2015.07.27
申请号 KR20120099600 申请日期 2012.09.07
申请人 发明人
分类号 H01M4/13;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/60 主分类号 H01M4/13
代理机构 代理人
主权项
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