SURFACE TREATMENT METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SIC SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SIC SUBSTRATE

摘要

본 출원은, 단결정 SiC 기판의 에칭 속도를 정교하게 제어하고, 에칭량을 정확하게 파악 가능한 표면 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 이 표면 처리 방법에서는, Si의 증기압 하에서 가열 처리함으로써 단결정 SiC 기판을 에칭하는 처리를 실시한다. 그리고, 이 에칭을 실시할 때에, 단결정 SiC 기판 주위의 분위기의 불활성 가스압을 조정함으로써 에칭 속도를 제어한다. 이것에 의해, 에칭량을 정확하게 파악할 수 있다.