| 摘要 |
<p>본 발명은, 제1전극에 유전체막을 형성하는 단계, 유전체막이 형성된 제1전극에 염소이온(Cl)을 포함하는 전처리 용액을 이용하여 전처리하는 단계, 제1전극에 전류를 공급하여 유전체막에 잔류하는 염소이온을 방출시켜 제거하는 단계, 제2양극산화공정을 통하여 염소이온에 의하여 손상된 유전체막을 회복시키는 단계 및 회복된 유전체막 상에 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하는 커패시터 제조방법을 제공한다. 따라서 염소이온에 대한 후처리를 실시하여, 파괴된 유전체막의 내전압을 회복시킬 수 있으며, 커패시터 용량의 상실을 방지할 수 있다.</p> |
