发明名称 CONTACTS AND VIAS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY A HARDMASK AND DOUBLE EXPOSURE
摘要 <p>콘택 요소가 하드 마스크(233)에 기초하여 형성될 수 있는바, 이는 적절한 교차 영역(234)을 정의하도록 하도록 제 1 레지스트 마스크(210)에 기초하여 그리고 제 2 레지스트 마스크(211)에 기초하여 패터닝될 수 있으며, 상기 교차 영역은 콘택 요소의 최종 설계 치수들을 나타낼 수 있다. 결과적으로, 각각의 레지스트 마스크는 덜 제한적인 요건들을 갖는 포토리소그래피 공정에 기초하여 형성될 수 있는데, 이는 적어도 하나의 측면 치수가 2개의 레지스트 마스크들 각각에서 비-임계적인 치수로 선택될 수 있기 때문이다.</p>
申请公布号 KR101539415(B1) 申请公布日期 2015.07.24
申请号 KR20117010115 申请日期 2009.09.29
申请人 发明人
分类号 H01L21/311;H01L21/768 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人
主权项
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