发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht |
摘要 |
Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht, insbesondere eines Leuchtstoffplättchens (1), mit den Schritten: – Bereitstellen eines Trägers (2) mit einer ersten elektrisch leitfähigen Schicht (21) an einer Trägeroberseite (20), – Aufbringen einer Isolationsschicht (23) auf die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) und einer zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) auf die Isolationsschicht (23), – Aufbringen und Strukturieren einer Ätzmaske (3) auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht (22), – Ätzen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) und der Isolationsschicht (23), wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) als durchgehende Schicht erhalten bleibt, – Anlegen einer Spannung an die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) und elektrophoretisches Beschichten der ersten elektrisch leitfähigen Schicht (21) mit einem ersten Material (4), und – Anlegen einer Spannung an die zweite elektrisch leitfähige Schicht (22) und elektrophoretisches Beschichten der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) mit einem zweiten Material (5). |
申请公布号 |
DE102014100542(A1) |
申请公布日期 |
2015.07.23 |
申请号 |
DE201410100542 |
申请日期 |
2014.01.20 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
GÖÖTZ, BRITTA;STOLL, ION;PFEUFFER, ALEXANDER F.;SCHOLZ, DOMINIK;WEHRMANN, ISABEL |
分类号 |
H01L27/15;G09F9/30;G09F9/33;H01L33/50 |
主分类号 |
H01L27/15 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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