发明名称 Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht
摘要 Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht, insbesondere eines Leuchtstoffplättchens (1), mit den Schritten: – Bereitstellen eines Trägers (2) mit einer ersten elektrisch leitfähigen Schicht (21) an einer Trägeroberseite (20), – Aufbringen einer Isolationsschicht (23) auf die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) und einer zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) auf die Isolationsschicht (23), – Aufbringen und Strukturieren einer Ätzmaske (3) auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht (22), – Ätzen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) und der Isolationsschicht (23), wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) als durchgehende Schicht erhalten bleibt, – Anlegen einer Spannung an die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) und elektrophoretisches Beschichten der ersten elektrisch leitfähigen Schicht (21) mit einem ersten Material (4), und – Anlegen einer Spannung an die zweite elektrisch leitfähige Schicht (22) und elektrophoretisches Beschichten der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) mit einem zweiten Material (5).
申请公布号 DE102014100542(A1) 申请公布日期 2015.07.23
申请号 DE201410100542 申请日期 2014.01.20
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 GÖÖTZ, BRITTA;STOLL, ION;PFEUFFER, ALEXANDER F.;SCHOLZ, DOMINIK;WEHRMANN, ISABEL
分类号 H01L27/15;G09F9/30;G09F9/33;H01L33/50 主分类号 H01L27/15
代理机构 代理人
主权项
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