发明名称 Verfahren zum Einstellen eines Wiederstands in einer integrierten Schaltung und Schaltungsaufbau
摘要 <p>Verfahren zum Einstellen eines Widerstandes in einer integrierten Schaltung, wobei der Widerstand einen ersten leitenden Bereich (1) und einen zweiten leitenden Bereich (3) aufweist, zwischen denen ein Widerstandsbereich (2) angeordnet ist, wobei ein Programmierstrom durch den Widerstand geleitet wird, wobei der Programmierstrom so gewählt wird, um in dem Widerstandsbereich einen Widerstandswert einzustellen, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstandsbereich (2) eine dielektrischen Schicht aufweist, wobei der Programmierstrom in den Widerstand so eingeprägt wird, dass eine Durchbruchspannung über der dielektrischen Schicht überschritten wird und sich ein oder mehrere Durchbruchskanäle ausbilden, wobei der Widerstandeswertes abhängig von der Größe des einen Durchbruchskanals oder der mehreren Durchbruchskanäle ist.</p>
申请公布号 DE10260818(B4) 申请公布日期 2015.07.23
申请号 DE2002160818 申请日期 2002.12.23
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHAMBERGER, FLORIAN;PETER, JÖRG
分类号 H01L23/525;H01C17/26;H01L21/02;H01L27/08 主分类号 H01L23/525
代理机构 代理人
主权项
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