| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung von Bipolartransistorstrukturen in einem komplementären Halbleiterprozess, das die Schritte umfasst, bei denen durch Plasmaätzen ein Bipolartransistor-Basisfenster in einer polykristallinen Siliziumschicht, die mit einer Oxidschicht bedeckt ist, strukturiert wird, ausgehend von Trisilan eine Siliziumschicht in dem Bipolartransistor-Basisfenster epitaktisch aufgewachsen wird, wobei das Plasmaätzen in einer Abfolge von anisotropen Ätzschritten und isotropen Veraschungsschritten durchgeführt wird, wodurch gestufte und nach innen geneigte Bipolartransistor-Basisfensterränder gebildet werden.</p> |
