HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG

摘要

Die vorliegende Offenbarung stellt ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung bereit. Das Halbleiterbauelement enthält ein Substrat, mindestens ein Split-Gate-Speicherbauelement und mindestens ein Logik-Bauelement. Das Split-Gate-Speicherbauelement ist auf dem Substrat angeordnet. Das Logik-Bauelement ist auf dem Substrat angeordnet. Mindestens eines von einem Auswahlgatter und einem Hauptgatter des Split-Gate-Speicherbauelements und einem Logikgatter des Logik-Bauelements besteht aus Metall. Das Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauelements enthält das Ausbilden von mindestens einem Split-Gate-Stapel und mindestens einem Logikgatter-Stapel und das jeweilige Ersetzen mindestens einer von einer Dummy-Gatterschicht und einer Hauptgatterschicht in dem Split-Gate-Stapel und der Dummy-Gatterschicht in dem Logikgatter-Stapel durch mindestens ein Metallspeichergatter und ein Metall-Logikgatter.