Vereinzelung von Halbleiter-Dies mit Kontaktmetallisierung durch elektroerosive Bearbeitung

摘要

Ein Verfahren zum Trennen einzelner Dies eines Halbleiter-Wafers umfasst das Ausbilden einer Metallschicht auf einer ersten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, wobei der Halbleiter-Wafer eine Mehrzahl von Dies umfasst, Trennen der Mehrzahl von Dies voneinander und elektroerosives Bearbeiten der Metallschicht in einzelne Segmente, von denen jedes auf einem der Dies befestigt bleibt. Ein entsprechender Halbleiter-Die, welcher durch ein solches Verfahren hergestellt ist, wird ebenfalls bereitgestellt.