| 摘要 |
<p>Rasterelektronenmikroskop, aufweisend: eine Objektivlinse (7), einen Öffnungsfehlerkorrektor (5) zur Korrektur des Öffnungsfehlers der Objektivlinse (7), einen oberen und einen unteren Sekundärelektronendetektor (8, 9), die beide oberhalb einer Probe (15) angeordnet sind, eine Kondensorlinse (24–26) und/oder eine Blende (4) zum Bestimmen eines Elektronenstrahl-Beleuchtungswinkels (α), eine Fokussiereinheit (16), und eine Bildaufnahmeeinheit (21) zum Erfassen mehrerer mit den Sekundärelektronendetektoren (8, 9) erhaltener zweidimensionaler vergrößerter Rasterbilder (30) der Probe (15), dadurch gekennzeichnet, dass die Objektivlinse (7) zwischen dem oberen Sekundärelektronendetektor (8) und dem unteren Sekundärelektronendetektor (9) angeordnet ist, und dadurch, dass das Rasterelektronenmikroskop dazu ausgelegt ist, die Tiefe (DPT) einer Struktur (B) im Inneren der Probe (15) durch Defokussieren eines Elektronenstrahls (2), mit dem die Probe (15) bestrahlt wird, zu messen und pixelweise einen optimalen Elektronenstrahl-Beleuchtungswinkel (α) zu bestimmen, der der gemessenen Strukturtiefe (DPT) zugeordnet ist, und ein Sekundärelektronenbild zu erhalten, in dem eine Struktur (A) an der Oberfläche der Probe (15) und die Struktur (B) im inneren der Probe (15) beide gleichzeitig beobachtet werden, indem der Elektronenstrahl-Beleuchtungswinkel (α) gemäß dem bestimmten optimalen Elektronenstrahl-Beleuchtungswinkel (α) durch Änderung eines Erregungsstroms (C1–C3) für die Kondensorlinse (24–26) und/oder durch Variieren der Größe der Blende (4) variiert wird.</p> |
