发明名称 Verbindungsanordnung mit spannungsreduzierender Struktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Es werden Ausführungsformen einer Halbleiter-Bauelement-Struktur und eines Verfahrens zu ihrer Herstellung bereitgestellt. Die Halbleiter-Bauelement-Struktur weist ein Substrat und eine erste Schicht auf, die auf dem Substrat hergestellt ist. Die Halbleiter-Bauelement-Struktur weist weiterhin eine spannungsreduzierende Struktur auf, die in der ersten Schicht ausgebildet ist, wobei ein Teil der ersten Schicht von der spannungsreduzierenden Struktur umschlossen ist. Die Halbleiter-Bauelement-Struktur weist weiterhin ein leitendes Element auf, das in dem Teil der ersten Schicht ausgebildet ist, der von der spannungsreduzierenden Struktur umschlossen ist.
申请公布号 DE102014019191(A1) 申请公布日期 2015.07.23
申请号 DE20141019191 申请日期 2014.12.19
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 LIN, YI-RUEI,;PENG, YEN-MING,;YANG, HAN-WEI,;LAI, CHEN-CHUNG,
分类号 H01L23/522;H01L21/768 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人
主权项
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