发明名称 Systeme und Verfahren zum integrierten Re-Sputtern in einer physikalischen Gasphasenabscheidungs-Kammer
摘要 <p>Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Materialschicht-Abscheidungssystem. Das Materialschicht-Abscheidungssystem umfasst eine Waferhalterung, die so konfiguriert ist, dass sie mindestens einen Wafer in einer Einschlussschild-Struktur trägt, und eine Target-Trägerstruktur, die über der Waferhalterung an einer gegenüberliegenden Seite der Einschlussschild-Struktur angeordnet ist. Das Materialschicht-Abscheidungssystem umfasst weiter einen Kollimator, der in der Einschlussschild-Struktur zwischen der Waferhalterung und der Target-Trägerstruktur angeordnet ist, eine elektrische Stromquelle, die mit dem Kollimator verbunden ist, um elektrischen Strom zuzuführen, und ein Steuersystem, das so konfiguriert ist, dass es die elektrische Stromquelle, die mit dem Kollimator verbunden ist, steuert.</p>
申请公布号 DE102014019381(A1) 申请公布日期 2015.07.23
申请号 DE20141019381 申请日期 2014.12.22
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 PAN, SHING-CHYANG;HSIEH, CHING-HUA;TSAI, MINGHSING;JANG, SYUN-MING
分类号 C23C14/35 主分类号 C23C14/35
代理机构 代理人
主权项
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