平面のアバランシェ・フォトダイオード

摘要

アバランシェ・フォトダイオードは、第１の半導体層、増倍層、電荷制御層、第２の半導体層、勾配吸収層、ブロッキング層、及び第２のコンタクト層を含む。増倍層は、電荷制御層と第１の半導体層との間に位置する。電荷制御層は、第２の半導体層と増倍層との間に位置する。第２の半導体層は、電荷制御層と勾配吸収層との間に位置する。勾配吸収層は、第２の半導体層とブロッキング層との間に位置する。