发明名称 Systeme und Verfahren zum Tempern durch Mikrowellenstrahlung
摘要 Systeme und Verfahren zum Tempern einer Halbleiterstruktur unter Verwendung von Mikrowellenstrahlung werden bereitgestellt. Eine Halbleiterstruktur wird bereitgestellt. Ein oder mehrere Energie umwandelnde Materialien, die in der Lage sind, die Absorption von Mikrowellenstrahlung durch die Halbleiterstruktur zu erhöhen, werden bereitgestellt. Mikrowellenstrahlung wird auf die Energie umwandelnden Materialien und die Halbleiterstruktur beaufschlagt, um die Halbleiterstruktur zum Herstellen von Halbleiterbauelementen zu tempern. Erste lokale Temperaturen, die mit einer oder mehreren ersten Zonen der Halbleiterstruktur verbunden sind, werden detektiert. Die Mikrowellenstrahlung, die auf die Energie umwandelnden Materialien und die Halbleiterstruktur beaufschlagt wird, wird basierend auf wenigstens teilweise den detektierten ersten lokalen Temperaturen eingestellt.
申请公布号 DE102014019262(A1) 申请公布日期 2015.07.23
申请号 DE20141019262 申请日期 2014.12.19
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 TSAI, CHUN-HSIUNG,;FANG, ZI-WEI,;WANG, CHAO-HSIUNG,
分类号 H01L21/326 主分类号 H01L21/326
代理机构 代理人
主权项
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