| 摘要 |
Einige Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen ein Verfahren zum Herstellen eines Source/Drain-SAC für einen Transistor. Das Verfahren weist das Herstellen eines Paars Gate-Strukturen in einem ersten dielektrischen Material auf einer Oberfläche eines Substrats auf, die durch ein Ätzstoppmaterial von dem ersten dielektrischen Material getrennt sind. Auf dem Paar Gate-Strukturen und dem ersten dielektrischen Material wird ein Deckmaterial ausgebildet. Durch Implantieren von Bereichen des Deckmaterials mit Dotanden wird eine Struktur eines Maskenmaterials erzeugt. Dann werden die implantierten Bereiche des Deckmaterials durch selektives Ätzen entfernt, sodass die Struktur des Maskenmaterials auf jeder Gate-Struktur entsteht. Die Struktur des Maskenmaterials ist so konfiguriert, dass sie jede Gate-Struktur während eines nachfolgenden Ätzschritts schützt, um ein Kurzschließen der Gate-Struktur mit dem SAC zu vermeiden. |
