| 摘要 |
<p>NOR-Flashspeicherbauelement mit–einem Speicherzellenfeld (10), welches Bänke (BK1 bis BKn) umfasst, die aus Sektoren (SC1 bis SCm) aufgebaut sind, wobei jeder Sektor (SC1 bis SCm) Speicherzellen umfasst, die mit Wortleitungen und Bitleitungen (BL1i bis BLni) gekoppelt sind,–einer Zeilenauswahlschaltung (40), welche in Reaktion auf eine Zeilenadresse (XA) eine der Wortleitungen in jeder Bank (BK1 bis BKn) bestimmt,–einer Spaltenauswahlschaltung (50), die in Reaktion auf eine Spaltenadresse (YA) Bitleitungen (BL1 bis BLk) in Einheiten einer vorbestimmten Anzahl in jeder Bank (BK1 bis BKn) bestimmt und pro Bank eine Mehrzahl von je einem der Sektoren der Bank zugeordneten Spaltendecodern (CD1 bis CDm) und einen der Bank zugeordneten globalen Spaltendecoder (GCD1) umfasst,–einem Dateneingabepuffer (20), welcher Programmierdatenbits in Einheiten der vorbestimmten Anzahl oder weniger empfängt und hält, und–einem Programmiertreiber (30), welcher in Reaktion auf die Programmierdatenbits, die im Dateneingabepuffer (20) gehalten werden, eine Programmierspannung (VPP) gleichzeitig an die bestimmten Bitleitungen anlegt.</p> |
