一种TEM样品的制备方法

摘要

本发明提供一种TEM样品的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一包括若干TSV盲孔的晶圆片，在光学显微镜下找到至少两个TSV盲孔并作标记，划片得到包含该至少两个TSV盲孔的半导体样品；S2：将所述半导体样品正面朝上固定在一具有倾斜表面的基板上；S3：将所述基板倒置固定在一磨盘上方，并使所述半导体样品表面与所述磨盘接触；S4：逐步提高所述磨盘的旋转速度直至旋转速度均匀稳定，对所述半导体样品表面进行研磨；S5：根据预设时间间隔，在光学显微镜下观察视野中相邻两个TSV盲孔的形貌，直到其中一个TSV盲孔在水平面上的投影面积大于另一个，停止对所述半导体样品的研磨，得到TEM样品。本发明能够精确控制和确定所要分析的位置，方法简单有效。

主权项

一种TEM样品的制备方法，其特征在于，所述TEM样品的制备方法至少包括以下步骤：S1：提供一包括若干TSV盲孔的晶圆片，在光学显微镜下找到至少两个TSV盲孔并作标记，划片得到包含该至少两个TSV盲孔的半导体样品；S2：将所述半导体样品正面朝上固定在一具有倾斜表面的基板上；S3：将所述基板倒置固定在一磨盘上方，并使所述半导体样品表面与所述磨盘接触；S4：逐步提高所述磨盘的旋转速度直至旋转速度均匀稳定，对所述半导体样品表面进行研磨；S5：根据预设时间间隔，在光学显微镜下观察视野中相邻两个TSV盲孔的形貌，直到其中一个TSV盲孔在水平面上的投影面积大于另一个TSV盲孔在水平面上的投影面积，停止对所述半导体样品的研磨，得到TEM样品。