发明名称 磁传感装置的制备方法
摘要 本发明揭示了一种磁传感装置的制备方法,包括:步骤S1、晶圆片上沉积第一绝缘介质层;步骤S2、在第一绝缘介质层上沉积磁性材料,形成磁性材料层;步骤S3、在磁性材料层上沉积缓冲层;步骤S4、沉积第二绝缘介质层,材料为非导电材料,使得缓冲层位于磁性材料层与第二绝缘介质层中间;步骤S5、通过光刻与刻蚀工艺将第二绝缘介质层打开,并且停在缓冲层上,或者停在磁性材料层上;步骤S6、接着去除光刻胶;步骤S7、通过刻蚀工艺将磁性材料层打开。本发明提出的磁传感装置的制备方法,在磁性材料之后沉积的第二绝缘介质层为非导电材料,使得这样的材料在稍后的刻蚀工艺当中不会产生过多的副产物,从而提高制得的磁传感装置的精度及灵敏度。
申请公布号 CN104793156A 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201410029941.8 申请日期 2014.01.22
申请人 上海矽睿科技有限公司 发明人 杨鹤俊;张挺;邱鹏
分类号 G01R33/09(2006.01)I 主分类号 G01R33/09(2006.01)I
代理机构 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人 王松
主权项 一种磁传感装置的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:步骤S1、在基底上沉积第一绝缘介质层,第一绝缘介质层材料为一层或者多层;步骤S2、在第一绝缘介质层上沉积磁性材料,形成磁性材料层;步骤S3、在磁性材料层上沉积一层或者多层缓冲层;步骤S4、沉积第二绝缘介质层,第二绝缘介质层为单层或者多层;步骤S5、通过光刻与刻蚀工艺将第二绝缘介质层打开,并且停在缓冲层上,或者停在磁性材料层上;步骤S6、接着去除光刻胶;步骤S7、通过刻蚀工艺将磁性材料层打开。
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