发明名称 |
半导体器件及其驱动方法 |
摘要 |
半导体器件及其驱动方法。本发明的一个目标是提供一种数字电路,该电路能正常地运行而与输入信号的二进制电位无关。本发明提供一种半导体器件,它包括校正单元;及单个或多个电路元件,其中所述校正单元包括:第一电容元件;第二电容元件;第一开关;及第二开关,并且其中,第一电容元件的第一电极和第二电容元件的第一电极被连接到一个输入端,第一开关控制将第一电位提供给第一电容元件的第二电极,第二开关控制将第二电位提供给第二电容元件的第二电极,第一电容元件的第二电极的电位或第二电容元件的第二电极的电位提供给所述单个或多个电路元件。 |
申请公布号 |
CN101807907B |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201010150979.2 |
申请日期 |
2004.02.12 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
木村肇 |
分类号 |
H03K19/017(2006.01)I;H03K19/0185(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/017(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李娜;李家麟 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:第一电容元件,包括第一电极和第二电极;第二电容元件,包括第一电极和第二电极,第二电容元件的第一电极电连接到第一电容元件的第一电极;第一晶体管,包括栅极电极、源极电极和漏极电极,该第一晶体管的栅极电极直接连接至第一电容元件的第二电极;第一布线,电连接到第一晶体管的源极电极和漏极电极之一;第二晶体管,包括栅极电极、源极电极和漏极电极,该第二晶体管的栅极电极直接连接至第二电容元件的第二电极,该第二晶体管的源极电极和漏极电极之一电连接到该第一晶体管的源极电极和漏极电极的另一个;第二布线,电连接到第二晶体管的源极电极和漏极电极的另一个;第三晶体管,电连接在第一电容元件的第二电极和第一布线之间,第三晶体管控制第一布线的电位向第一电容元件的第二电极的提供;和第四晶体管,电连接在第二电容元件的第二电极和第二布线之间,第四晶体管控制第二布线的电位向第二电容元件的第二电极的提供,其中第一电容元件的电容大于该第一晶体管的栅极的电容,其中第二电容元件的电容大于该第二晶体管的栅极的电容,其中第一电容元件的第一电极由第三布线和电连接到所述第三布线的第一半导体层形成,以及其中第一电容元件的第二电极由与第一晶体管的栅极电极相同的层形成。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |