发明名称 |
可快速关断PMOS开关管的驱动控制电路及其设计方法 |
摘要 |
本发明公开了一种可快速关断PMOS开关管的驱动控制电路,包括NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2,电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4,以及电容C2;NPN型三极管Q1的基极为驱动控制电路的输入端,NPN型三极管Q1的集电极与电阻R1的一端相接,电阻R1的另一端为驱动控制电路的输出端;电容C2和电阻R2串联后的一端与NPN型三极管Q1的集电极相接,另一端与NPN型三极管Q2的基极相接;NPN型三极管Q2的发射极与驱动控制电路的输出端相接;本发明还公开了一种可快速关断PMOS开关管的驱动控制电路的设计方法。本发明电路结构简单,实现方便且成本低,设计方法步骤简单,实用性强,市场前景广阔。 |
申请公布号 |
CN104795976A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201510240067.7 |
申请日期 |
2015.05.12 |
申请人 |
西安科技大学 |
发明人 |
刘树林;邓俊青;郭星;赵亚娟;李青青;聂燊;汪子为;王肖;张琼;王磊 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
西安创知专利事务所 61213 |
代理人 |
谭文琰 |
主权项 |
一种可快速关断PMOS开关管的驱动控制电路,其特征在于:包括NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2,电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4,以及电容C2;所述NPN型三极管Q1的基极为驱动控制电路(1)的输入端,所述NPN型三极管Q1的发射极与外部电源的负极输出端VIN‑相接,所述NPN型三极管Q1的集电极与电阻R1的一端相接,所述电阻R1的另一端为驱动控制电路(1)的输出端;所述电容C2和电阻R2串联后的一端与NPN型三极管Q1的集电极相接,另一端与NPN型三极管Q2的基极相接;所述NPN型三极管Q2的集电极与外部电源的正极输出端VIN+相接,所述NPN型三极管Q2的发射极与驱动控制电路(1)的输出端相接;所述电阻R3接在NPN型三极管Q2的基极与发射极之间,所述电阻R4接在NPN型三极管Q2的集电极与发射极之间。 |
地址 |
710054 陕西省西安市雁塔路中段58号 |