| 发明名称 | 一种采用AlInN量子垒提高GaN基LED内量子效率的LED结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种采用AlInN量子垒提高GaN基LED内量子效率的LED结构及制备方法，属于光电子技术领域。本发明在通用的InGaN/GaN阱垒基础之上进行改进：在每个量子阱两侧或者一侧分别加入比GaN垒带隙宽度更大的材料，即Al<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>N材料，以提高有效势垒高度，从而有效抑制量子阱内载流子的溢出，从而提高载流子的注入效率，提高器件内量子效率的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN102738340B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201110082284.X | 申请日期 | 2011.04.01 |
| 申请人 | 山东华光光电子有限公司 | 发明人 | 王成新;王强;徐现刚;李树强;曲爽 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 许德山 |
| 主权项 | 一种采用AlInN量子垒提高GaN基LED内量子效率的LED结构，包括衬底层(6)上依次是厚度为25nm GaN成核层(7)、厚度为3μm非掺杂GaN缓冲层(8)、厚度为4μm的N型GaN导电层(9)、多量子阱层(10)和厚度为180nm的P型GaN导电层(11)，在N型GaN导电层(9)和P型GaN导电层(11)上分别是欧姆接触层(12)；所述的多量子阱层(10)是4个重复周期且厚度分别为5nm厚的InGaN阱(4)和15nm厚的GaN垒(3)；在InGaN阱(4)的靠近N型GaN层一侧(1)，且在相邻GaN垒(3)和InGaN阱(4)之间设置有Al<sub>x</sub>In<sub>1‑x</sub>N薄垒层(5)，所述Al<sub>x</sub>In<sub>1‑x</sub>N薄垒层中的x取值为0.76；厚度为1.5nm；或，至少在InGaN阱的一侧，且在相邻GaN垒和InGaN阱之间设置有Al<sub>x</sub>In<sub>1‑x</sub>N薄垒层，是指在InGaN阱的靠近P型GaN层一侧，且在相邻GaN垒和InGaN阱之间设置有Al<sub>x</sub>In<sub>1‑x</sub>N薄垒层；或，至少在InGaN阱的一侧，且在相邻GaN垒和InGaN阱之间设置有Al<sub>x</sub>In<sub>1‑x</sub>N薄垒层，是指在InGaN阱的两侧，且在邻GaN垒和InGaN阱之间设置有Al<sub>x</sub>In<sub>1‑x</sub>N薄垒层。 | ||
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号 | ||