发明名称 一种基于DDR SDRAM进行数据读写的方法、装置及系统
摘要 本发明公开了一种基于DDR SDRAM进行数据读写操作的方法、系统及装置,用以解决基于DDR进行读写时效率不高,不利于提高缓存利用率的问题。该方法根据链表节点的大小,将接收到的报文划分为对应长度的多个数据块,针对每个数据块,将该数据块划分为多个数据子单元,当该数据块中最后一个数据子单元包含的字节数不大于一片DDR每次处理的字节长度时,将该最后一个数据子单元与下一数据块中第一个数据子单元中相应字节的数据拼接,写入该组DDR SDRAM中。由于在本发明实施例中当通过每组DDR进行读写操作时,为了避免DDR资源的浪费,将数据进行拼接,从而提高了DDR读写的效率,提高了缓存资源的利用率。
申请公布号 CN102684976B 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201110057810.7 申请日期 2011.03.10
申请人 中兴通讯股份有限公司 发明人 吕华磊;汪友宝
分类号 G06F13/00(2006.01)I 主分类号 G06F13/00(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;梁丽超
主权项 一种基于双倍速率同步动态随机存储器DDR SDRAM进行数据写操作的方法,所述数据写操作通过多组DDR SDRAM实现,其特征在于,包括:根据链表节点的大小,将接收到的报文划分为对应长度的多个数据块;针对每个数据块,根据该数据块包含的有效字节长度,以及每组双倍速率同步动态随机存储器每个周期处理的字节长度,将该数据块划分为多个数据子单元;判断该数据块划分后的最后一个数据子单元包含的有效字节数,是否不大于一片DDR SDRAM每个周期处理的字节长度,当判断结果为是时,根据每组DDR SDRAM每个周期处理的字节长度,将该最后一个数据子单元与下一数据块中第一个数据子单元中相应字节的数据拼接,写入该组DDR SDRAM中。
地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部