发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括:在SOI衬底上形成沿第一方向延伸的多条鳍线,其中SOI衬底包括支撑衬底、埋入绝缘层和SOI层,且在形成鳍线之后留有一定厚度的SOI层在埋入绝缘层上各鳍线之间延伸;在衬底上形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅极线,每一栅极线经由栅介质层与相应的鳍线相交;在栅极线的侧壁上形成电介质侧墙;在SOI层以及鳍线未被栅极线和侧墙覆盖的表面上外延生长半导体层;以及在预定区域处,形成器件间绝缘隔离部,其中至少一条栅极线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分,且至少一条鳍线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分。 |
申请公布号 |
CN104795330A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201410024925.X |
申请日期 |
2014.01.20 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
钟汇才;罗军;朱慧珑 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
倪斌 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,包括:在SOI衬底上形成沿第一方向延伸的多条鳍线,其中SOI衬底包括支撑衬底、埋入绝缘层和SOI层,且在形成鳍线之后留有一定厚度的SOI层在埋入绝缘层上各鳍线之间延伸;在衬底上形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅极线,每一栅极线经由栅介质层与相应的鳍线相交;在栅极线的侧壁上形成电介质侧墙;在SOI层以及鳍线未被栅极线和侧墙覆盖的表面上外延生长半导体层;以及在预定区域处,形成器件间绝缘隔离部,其中至少一条栅极线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分,且至少一条鳍线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分。 |
地址 |
100083 北京市朝阳区北土城西路3号 |