| 发明名称 | 应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供硅基底；在所述硅基底上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直；在所述第一沟槽中形成第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层；在所述第二沟槽中形成第二介质层；在所述第一沟槽和第二沟槽包围的硅基底上形成栅堆叠，所述栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，所述硅基底的晶面指数为{100}，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>。本发明提高了器件的响应速度，改善了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102456576B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201010527238.1 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种应力隔离沟槽半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供硅基底；在所述硅基底上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直；在所述第一沟槽中形成第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层，在所述第二沟槽中形成第二介质层；所述第二介质层为低应力介质层；在所述第一沟槽和第二沟槽包围的硅基底上形成栅堆叠，所述栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，各个所述栅堆叠的延伸方向相同，所述硅基底的晶面指数为{100}，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||