大功率LED芯片及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种大功率LED芯片及其制造方法。通过在氮化镓外延层中形成规则的沟槽，在P型氮化镓层上形成与P电极相连接的第一反射镜，在沟槽中形成与N电极相连接的第二反射镜，保证电流分布均匀，采用不导电、导热良好的键合衬底，解决了大功率芯片散热不良的问题。采用N面出光，利用表面微粗化处理大大提高了出光效率，且使得N电极和P电极都在N氮化镓层的表面，使封装工艺更加简单。

主权项

一种大功率LED芯片的制造方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括第一衬底，形成于所述第一衬底上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；刻蚀所述前端结构形成多个沟槽，暴露出N型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成第一反射镜，在所述沟槽中形成第二反射镜的伸入端及连接端，所述第二反射镜的伸入端通过所述第二反射镜的连接端在N型氮化镓层表面相连接，所述沟槽的侧壁与第二反射镜之间留出内隔离带，所述沟槽的侧壁与第一反射镜之间留出外隔离带；在所述内隔离带、外隔离带和第二反射镜上形成绝缘层，在整个前端结构上形成阻挡层和键合层；提供键合衬底与所述键合层相键合，去除第一衬底，暴露出N型氮化镓层；对所述N型氮化镓层进行表面粗化处理，刻蚀所述前端结构形成P通孔和N通孔；在所述P通孔中形成电连接第一反射镜的P电极，在所述N通孔中形成电连接第二反射镜的连接端的N电极。