发明名称 |
一种片上系统单粒子效应测试方法 |
摘要 |
一种片上系统单粒子效应测试方法,包括对片上系统微处理器中的寄存器、高速数据缓存D-cache、整数运算单元ALU、浮点运算单元FPU、直接内存存取DMA、片外及片内存储器以及外设单元进行单粒子效应动态测试;主要是对以上几个功能模块进行动态测试,测试其在辐照环境下,单粒子效应发生的次数,错误数据以及工作电流变化情况;本发明能够进行在线准确测试片上系统内部不同功能模块的单粒子效应。 |
申请公布号 |
CN104793080A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201510182629.7 |
申请日期 |
2015.04.16 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
杜雪成;刘书焕;贺朝会;张瑶;杜欣 |
分类号 |
G01R31/00(2006.01)I;G01R31/3167(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/00(2006.01)I |
代理机构 |
西安智大知识产权代理事务所 61215 |
代理人 |
何会侠 |
主权项 |
一种片上系统单粒子效应测试方法,其特征在于:包括对片上系统微处理器中的寄存器、高速数据缓存D‑cache、整数运算单元ALU、浮点运算单元FPU、直接内存存取DMA、片外及片内存储器以及外设单元进行单粒子效应动态测试;所述测试方法包括如下步骤:步骤1:在辐照试验前搭建好测试系统,包括设置在主控室中的上位机和电流测试模块以及设置在辐照间的功能测试模板,所述电流测试模块包括MSP430、放大电路和采样电阻R,所述功能测试模板包括SoC测试板和芯片;所述电流测试模块,主要是通过将采样电阻R上的电压经过放大电路放大,然后经过AD转换及相应运算换算成电流值;所述上位机通过USB延长线与SoC测试板的USB‑UART线连接,采样电阻R接在上位机USB延长线内部的+5V的电源线上,放大电路将采样电阻上的电压经过放大后,由MAP430单片机经过AD转换及相应运算,最终将电流值输出在上位机软件上;步骤2:通过上位机选择测试模块以及测试的次数,所述测试模块包括片上系统微处理器中的寄存器、高速数据缓存D‑cache、整数运算单元ALU、浮点运算单元FPU、直接内存存取DMA、片外及片内存储器以及外设单元;辐照过程中循环测试片上系统中一个或者多个上述测试模块;步骤3:检测测试模块的功能是否正常,所有的测试结果保存在日志中,包括电流值;步骤4:当辐照注量或者累计的单粒子效应发生的次数达到要求时停止测试;步骤5:打开日志,统计错误结果。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁路28号 |