钴阻挡层的形成方法和金属互连工艺

摘要

本发明提供了一种钴阻挡层的形成方法和金属互连工艺，在表面具有金属互连线和线间介质层的半导体器件衬底上进行，包括：采用原子层沉积工艺将介质沉积到线间介质层表面，使所述线间介质层表面致密化；去除所沉积的介质，暴露出线间介质层的致密化的表面和金属互连线；钴选择性地沉积到金属互连线表面，从而形成钴阻挡层。本发明提高了钴在金属互连线和线间介质层表面之间的沉积选择性，从而降低了金属互连线之间的漏电流，提高了产品良率和可靠性。

主权项

一种钴阻挡层的形成方法，在表面具有金属互连线和线间介质层的半导体器件衬底上进行，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：采用原子层沉积工艺将介质沉积到所述线间介质层表面，使所述线间介质层表面致密化；步骤02：去除所沉积的介质，暴露出所述线间介质层的致密化的表面和所述金属互连线；步骤03：钴选择性地沉积到所述金属互连线表面，从而形成钴阻挡层。