| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一电极层，所述第一电极层表面具有牺牲层；在所述牺牲层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料为导电材料；在第一掩膜层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分与第一电极层位置对应的第一掩膜层表面；以图形化层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层和牺牲层，直至暴露出第一电极层表面为止，在所述第一掩膜层和牺牲层内形成开口；进行清洗工艺，去除附着于第一掩膜层表面、以及开口的侧壁和底部表面的刻蚀副产物；在进行清洗工艺之后，在所述开口内形成导电插塞。所形成的半导体器件性能得到改善。 | ||
| 申请公布号 | CN104795311A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201410027719.4 | 申请日期 | 2014.01.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 伏广才;杨天伦;张校平 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一电极层，所述第一电极层表面具有牺牲层；在所述牺牲层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料为导电材料；在第一掩膜层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分与第一电极层位置对应的第一掩膜层表面；以图形化层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层和牺牲层，直至暴露出第一电极层表面为止，在所述第一掩膜层和牺牲层内形成开口；进行清洗工艺，去除附着于第一掩膜层表面、以及开口的侧壁和底部表面的刻蚀副产物；在进行清洗工艺之后，在所述开口内形成导电插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||