发明名称 一种Ⅱ-Ⅵ型长寿命量子点及其制备方法
摘要 本发明涉及一种Ⅱ-Ⅵ型长寿命量子点及其制备方法,具体涉及一种通过共轭结构配体制备的Ⅱ-Ⅵ型的长寿命半导体量子点材料,属于材料制备领域。该量子点是有机配体L通过配位化学键与Ⅱ-Ⅵ型无机半导体量子点的金属离子结合形成的量子点,具有如下结构:MX:L,其中,M=Cd<sup>2+</sup>或Zn<sup>2+</sup>;X=S<sup>2-</sup>、Te<sup>2-</sup>或Se<sup>2-</sup>;所述有机配体L包括至少一种共轭配体L1,所述共轭配体L1是至少一个巯基或硒氢基取代的含有1~6个芳环的有机配体,所述巯基或硒氢基为芳环取代。本发明发光材料可广泛用于量子点在光电器件和电子器件中的一些应用,包括单电子晶体管、光发射二极管、激光器、传感器和红外探测器等。
申请公布号 CN102925138B 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201210439492.5 申请日期 2012.11.06
申请人 大连理工大学 发明人 武素丽;常杰;张洁;张淑芬
分类号 C09K11/06(2006.01)I;C07F3/08(2006.01)I;C07F3/06(2006.01)I 主分类号 C09K11/06(2006.01)I
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人 赵淑梅;李馨
主权项 一种Ⅱ‑Ⅵ型长寿命量子点,其特征在于:所述量子点是有机配体L通过配位化学键与Ⅱ‑Ⅵ型无机半导体量子点的金属离子结合形成的量子点,具有如下结构:MX:L其中,M=Cd<sup>2+</sup>或Zn<sup>2+</sup>;X=S<sup>2‑</sup>、Te<sup>2‑</sup>或Se<sup>2‑</sup>;所述配体L由至少一种共轭配体L<sub>1</sub>和至少一种非共轭配体L<sub>2</sub>组成,共轭配体L<sub>1</sub>与非共轭配体L<sub>2</sub>的摩尔比为5:0~1:5,其中,所述共轭配体L<sub>1</sub>是至少一个巯基或硒氢基取代的含有1~6个芳环的有机配体,所述巯基或硒氢基为芳环取代;所述非共轭配体L<sub>2</sub>为巯基乙酸、巯基丙酸或L‑半胱氨酸。
地址 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号