发明名称 用于生产功率半导体设置的方法
摘要 在用于生产功率半导体设置的方法中,提供具有顶侧的电介质绝缘载体和在所述顶侧上设置的顶部金属化层。还提供半导体芯片以及至少一个导电接触引脚,每一个引脚具有第一末端和相对的第二末端。所述半导体芯片被烧结或扩散焊接到顶部金属化层。在第一末端与顶部金属化层之间形成导电连接,其中接触引脚的导电连接材料与顶部金属化层的材料直接物理接触。
申请公布号 CN103035542B 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201210368228.7 申请日期 2012.09.28
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 K.古特;T.施托尔策;G.施特罗特曼
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 王岳;李浩
主权项 一种用于生产功率半导体布置的方法,包括:提供具有平面顶侧的电介质绝缘载体和在所述平面顶侧上设置的顶部金属化层;提供半导体芯片;通过半导体芯片与顶部金属化层之间的连接层将半导体芯片与顶部金属化层结合,所述连接层是通过扩散焊接或通过烧结而产生的;提供每个包括第一末端的多个即N≥1个导电接触引脚;以及对于每一个接触引脚在顶部金属化层与第一末端之间形成导电连接,其中接触引脚的导电连接材料与顶部金属化层的材料直接物理接触,其中N表示导电接触引脚的数目。
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号