发光二极管及其制作方法

摘要

本申请公开了一种发光二极管及其制作方法。本申请的发光二极管制作方法包括：在衬底材料上制作外延片；在所述外延片上刻蚀晶圆图形，露出台阶并形成切割道；在刻蚀后的晶圆的正面沉积保护层；沿所述切割道对沉积所述保护层后的所述晶圆进行切割；清洗所述切割道的侧壁；制作电流阻挡层；制作电流扩展导电层；在所述电流扩展导电层中进行开孔，对所述开孔和所述切割道侧壁进行蒸镀，用以制作金属电极；以及制作钝化层。本申请的发光二极管及其制作方法对于小尺寸芯片，可以解决尺寸过小导致的P、N金属电极距离过近无法焊线的问题，提升芯片品质；对于大功率芯片，可以减少电极过多导致的挡光现象，提升芯片出光效率，增加亮度。

主权项

一种发光二极管制作方法，其特征在于，包括：在衬底材料上制作外延片；在所述外延片上刻蚀晶圆图形，露出台阶并形成切割道；在刻蚀后的晶圆的正面沉积保护层；沿所述切割道对沉积所述保护层后的所述晶圆进行切割；清洗所述切割道的侧壁；制作电流阻挡层；制作电流扩展导电层；在所述电流扩展导电层中进行开孔，对所述开孔和所述切割道侧壁进行蒸镀，用以制作金属电极；以及制作钝化层。