复合基板的制造方法和复合基板

摘要

复合基板的制造方法，是通过将半导体基板1与支持基板3贴合后，对上述半导体基板1进行薄化，得到在支持基板3上具有半导体层6的复合基板8的复合基板的制造方法，其中,在支持基板3的进行贴合的面形成含有聚硅氮烷的涂膜4a，进行将该涂膜4a加热到600℃以上1200℃以下的烧成处理而形成含硅绝缘膜4，然后经由该绝缘膜4将上述半导体基板1与支持基板3贴合，抑制支持基板的面粗糙度、缺陷引起的贴合不良，简便地得到复合基板。

主权项

复合基板的制造方法，是将半导体基板与支持基板贴合后，对上述半导体基板进行薄化，得到在支持基板上具有半导体层的复合基板的复合基板的制造方法，其特征在于，将含有聚硅氮烷的涂膜形成于上述半导体基板与支持基板进行贴合的面的至少任一个，进行将该涂膜加热到600℃以上1200℃以下的烧成处理而形成含硅绝缘膜，然后经由该绝缘膜将上述半导体基板与支持基板贴合。