半导体装置

摘要

提供一种半导体装置，软化高速二极管的开关波形。在电流沿纵向流动的PiN型二极管的结构中，在电流流经的方向上形成条纹状的结晶缺陷层。由此，在硅中形成有作为寿命抑制因素来发挥功能、载流子尽早复合的区域和不作为寿命抑制因素来发挥功能、载流子消失得较迟的区域，当施加反偏压时，载流子没有立刻消失，因此能够形成开关速度快且具有软开关波形的半导体元件。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，在电流沿纵向流动的PiN型二极管中，在电流流经的方向上局部具有多个条纹状的结晶缺陷层。