半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种反馈电容小、且开关损耗低的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板（20）；漂移层（21），形成于半导体基板（20）表面上；第1阱区域（41），在漂移层（21）表面形成了多个；源极区域（80），是形成于各第1阱区域（41）表面的区域，将由该区域和漂移层（21）夹住的各第1阱区域（41）表面规定为沟道区域；栅电极（50），从沟道区域上到漂移层（21）上隔着栅极绝缘膜（30）形成；以及第2阱区域（43），在栅电极（50）下的漂移层（21）内部埋设，并且与相互相邻的各第1阱区域（41）的各个连接地形成。

主权项

一种半导体装置，具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板表面上；第2导电类型的第1阱区域，在所述漂移层表面选择性地形成了多个；第1导电类型的源极区域，是在各所述第1阱区域表面选择性地形成的区域，将由该区域和所述漂移层夹住的各所述第1阱区域表面规定为沟道区域；栅电极，从所述沟道区域上到所述漂移层上，隔着绝缘膜而形成；多个第2导电类型的第2阱区域，在所述栅电极下的所述漂移层内部埋设，并且与相互相邻的各所述第1阱区域的各个连接地形成，俯视时连接多个所述第1阱区域之间的区域的一部分；源电极，与所述源极区域连接，并且仅与所述第1阱区域以及第2阱区域中的所述第1阱区域直接连接地形成；以及漏电极，形成于所述半导体基板背面，所述第2阱区域的第2导电类型的杂质浓度的最大值位于比所述漂移层的表面更深的位置。