发明名称 读取及使用存储器单元的方法
摘要 一些实施例包含读取存储器单元的方法。所述存储器单元具有仅在施加足够绝对值的电压达足够持续时间的情况下发生的写入操作;且以具有太短的持续时间而不足以用于所述写入操作的脉冲来实施所述读取。在一些实施例中,用于所述读取的所述脉冲可具有大于或等于用于所述写入操作的所述电压的电压绝对值。在一些实施例中,所述存储器单元可包括非欧姆装置;例如忆阻器及二极管。
申请公布号 CN102498521B 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201080041969.3 申请日期 2010.08.18
申请人 美光科技公司 发明人 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·S·桑胡
分类号 G11C16/26(2006.01)I;G11C16/32(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I 主分类号 G11C16/26(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种读取存储器单元的方法,其包括:提供具有频率相依写入操作的存储器单元;及以具有比所述写入操作的最大频率快至少一数量级的频率且具有一电压的单个脉冲读取所述存储器单元,所述电压具有小于所述写入操作的写入电压的绝对值的绝对值。
地址 美国爱达荷州