| 发明名称 | 溅射靶材的使用方法以及氧化物膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个方式提供一种能够形成含有多个金属元素且晶化度高的氧化物膜的溅射靶材的使用方法。本发明的一个方式是一种包括具有多个晶粒的多晶氧化物的溅射靶材的使用方法，该多个晶粒具有劈开面，上述方法包括如下步骤：通过将离子碰撞到溅射靶材来使溅射粒子从所述劈开面剥离；以及通过使溅射粒子带正电来使溅射粒子互相排斥而均匀地沉积到沉积表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN104797736A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201380045136.8 | 申请日期 | 2013.06.17 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李志强;万雪松 |
| 主权项 | 一种靶材的使用方法，包括如下步骤：通过溅射所述靶材来从所述靶材剥离带正电的多个粒子；以及将互相排斥的所述多个粒子沉积到沉积表面上，其中，所述靶材包括包含晶粒的多晶氧化物，并且，所述粒子具有平板形状。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||