具有背侧散热的绝缘体上半导体

摘要

本发明实施例实现了对绝缘体上半导体(SOI)结构的散热。在一个实施例中，公开了一种制造集成电路的方法。在第一步骤中，在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成有源电路。在第二步骤中，从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料。在第三步骤中，从所述绝缘体上半导体绝缘的所述背侧去除绝缘材料以形成挖掉的绝缘区域。在第四步骤中，在所述挖掉的绝缘区域中沉积散热层。所述散热层是导热的并且是电绝缘的。

主权项

一种绝缘体上半导体，包括：散热层；位于所述散热层上方的有源层；位于所述有源层上方的操纵晶圆；以及绝缘层，其至少部分地与所述散热层共同垂直延伸；其中所述散热层具有高热导率并且电绝缘，其中所述有源层沉积在所述绝缘层上；其中所述绝缘层包括挖掉的绝缘区域；其中所述散热层沉积在所述挖掉的绝缘区域中；其中所述挖掉的绝缘区域的第一部分与所述有源区中的有源器件的一部分横向地共同延伸；以及其中所述有源器件的沟道区域处于所述挖掉的绝缘区域的横向范围之外。