| 发明名称 | 二氧化硅组合物的选择性蚀刻 | ||
| 摘要 | 本发明涉及二氧化硅组合物的选择性蚀刻。一种优于硅选择性蚀刻含二氧化硅的材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有含二氧化硅的材料层的硅衬底放置于配有能量源的反应室中；在该反应室中制造真空；向该反应室中引入包含有氟化合物、可聚合碳氟化合物和惰性气体的反应气体混合物，其中该反应气体混合物中基本不含有添加的氧；激活该能量源以在该反应室中形成等离子体激活的反应蚀刻气体混合物；和优先于硅衬底选择性蚀刻该含二氧化硅的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101667609B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN200910205725.3 | 申请日期 | 2009.08.28 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | G·M·米歇尔;S·A·莫蒂卡;A·D·约翰逊 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 万雪松;韦欣华 |
| 主权项 | 一种优先于硅而选择性蚀刻含二氧化硅的材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有含二氧化硅的材料层的硅衬底放置于配有能量源的反应室中；在该反应室中制造真空；向该反应室中引入包含氟化合物、可聚合碳氟化合物和惰性气体的反应气体混合物，其中该反应气体混合物中基本不含有添加的氧，其中该可聚合碳氟化合物是具有C<sub>h</sub>F<sub>i</sub>分子式的化合物，其中h的数值范围为从4到6，i的数值范围为h到2h+2，其中该氟化合物是NF3，且该可聚合碳氟化合物是C4F6，其中C4F6的浓度是该反应气体混合物的5％，且NF3的浓度是该反应气体混合物的5％；激活该能量源以在该反应室中形成等离子体激活的反应蚀刻气体混合物；和优先于硅衬底而选择性蚀刻该含二氧化硅的材料。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||