发明名称 雷射加工方法、被加工物的分割方法及雷射加工装置
摘要 本发明提供一种可进行减少于加工痕的光吸收的雷射加工的雷射加工方法。通过使来自光源的脉冲雷射光的照射状态调变使被加工物的表面的照射范围调变,形成虽具有于第1方向连续的部分但垂直于前述第1方向的剖面的状态于前述第1方向变化的前述被加工区域。具体而言,通过前述脉冲雷射光的各单位脉冲的光束点以沿前述第1方向离散的照射条件扫瞄脉冲雷射光,或使前述脉冲雷射光的照射能量调变并于第1方向扫瞄前述脉冲雷射光,或通过交互重复往分别对前述第1方向具有既定的角度的第2方向与第3方向的前述脉冲雷射光的扫瞄,使前述被加工物的前述脉冲雷射光的扫瞄轨迹与沿前述第1方向的分割预定线重复交互交叉其中之一来实现。
申请公布号 CN104028899B 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201410288846.X 申请日期 2010.10.27
申请人 三星钻石工业股份有限公司 发明人 长友正平;菅田充;中谷郁祥
分类号 B23K26/38(2014.01)I;B23K26/082(2014.01)I 主分类号 B23K26/38(2014.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;黄灿
主权项 一种雷射加工方法,通过将从既定的光源被射出的脉冲雷射光一边扫瞄、一边照射,于被加工物形成被加工区域,其特征在于:通过一边使来自前述光源的前述脉冲雷射光的照射状态调变而使前述被加工物的表面的照射范围调变、一边照射前述脉冲雷射光;以形成具有于前述被加工物的表面于第1方向连续的第1区域;虽连接于前述第1区域但于前述第1方向具有不连续部分的第2区域;前述第2区域于沿前述第1方向具有凹凸的前述被加工区域;前述被加工物为蓝宝石基板、GaN基板或SiC基板其中之一。
地址 日本大阪府